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高鸿钧, 时东霞, 张昊旭, 林晓. 超高密度信息存储分子存储及其存储机理[J]. 物理, 2001, 30(08).
引用本文: 高鸿钧, 时东霞, 张昊旭, 林晓. 超高密度信息存储分子存储及其存储机理[J]. 物理, 2001, 30(08).
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超高密度信息存储分子存储及其存储机理

    摘要
  • 摘要: 在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信息存储,存储点的大小在13nm左右,存储点间距为15nm,相应的存储密度为1013bitscm2.实验与理论计算的结果表明,其存储机理是薄膜的导电性质的变化.

     

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