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中国科学院半导体研究所背散射协作组, 中国科学院高能物理研究所背散射协作组. 用离子背散射方法进行半导体材料的表面分析[J]. 物理, 1979, 8(2).
引用本文: 中国科学院半导体研究所背散射协作组, 中国科学院高能物理研究所背散射协作组. 用离子背散射方法进行半导体材料的表面分析[J]. 物理, 1979, 8(2).

  • 摘要: 一、引言单能离子束的背散射技术已广泛地应用到固体物理中.随着半导体技术的飞跃发展,背散射技术又与半导体物理的发展紧密地联系起来,使它成为研究半导体表面不可缺少的分析手段之一.在1973—1977年曾先后召开过三次有关离子束表面分析的国际会议[1-3],详细介绍了背散射技术及其在固体物理和半导体材料中的应用.背散射分析方法的优点是:准确、简单、快速,测量时对样品没有破坏性,用这种方法分析过的样?...

     

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