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陈志恭. 硅片制备中的损伤问题[J]. 物理, 1985, 14(5).
引用本文: 陈志恭. 硅片制备中的损伤问题[J]. 物理, 1985, 14(5).

硅片制备中的损伤问题

  • 摘要: 单晶硅是目前制造半导体器件、集成电路的最重要的基本材料.但是,利用硅单晶来制造器件,必须经过切片、磨片、抛光等多道工艺,把它加工成符合要求的单晶硅片.这些要求包括:表面高度平整光洁,几何尺寸均匀,有精确的晶向,表面无任何的微小损伤.七十年代,硅材料方面的大量工作在于从科学上弄清材料的性能.对于材料缺陷的研究,也主要在于研究晶体生长时存在于晶体内的缺陷,即原生缺陷.随着对材料性能和器件工艺问题?...

     

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