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吴自勤. 集成电路中的物理问题讲座第二讲 硅中的扩散[J]. 物理, 1985, 14(5).
引用本文: 吴自勤. 集成电路中的物理问题讲座第二讲 硅中的扩散[J]. 物理, 1985, 14(5).

集成电路中的物理问题讲座第二讲 硅中的扩散

  • 摘要: 硅中的扩散和金属中的扩散相比有自己的特点.硅具有金刚石结构这样一种敞形结构(openstructure),而金属具有密堆积结构.敞形结构中间隙大,使更多的元素能通过填隙机制进行扩散.硅具有禁带,点缺陷在禁带中产生能级,由掺杂引起的费米能级在禁带中的浮动使点缺陷具有不同的荷电态,带电点缺陷的浓度也受费米能级的严重影响.这些特点使硅中的扩散比金属中的扩散复杂得多、丰富得多.低温辐照产生一系列点缺?...

     

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