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秦国刚, 晏懋洵. 集成电路中的物理问题讲座第四讲 半导体中深能级杂质缺陷与深能级瞬态谱[J]. 物理, 1985, 14(7).
引用本文: 秦国刚, 晏懋洵. 集成电路中的物理问题讲座第四讲 半导体中深能级杂质缺陷与深能级瞬态谱[J]. 物理, 1985, 14(7).

集成电路中的物理问题讲座第四讲 半导体中深能级杂质缺陷与深能级瞬态谱

  • 摘要: 大家知道,不含杂质的纯半导体几乎没有什么直接的用途.为了制造半导体器件,人们总是先将半导体材料尽可能地提纯,然后用扩散、离子注入等方法将一定数量的特定杂质掺入半导体的一定部位,以控制半导体的导电类型和电阻率,再经金属蒸发等工艺,最终制成半导体器件.因此,研究杂质的性质和作用是很重要的.在半导体中,有两类性质和作用都绝然不同的杂质:一类杂质是在禁带中引入的能级与导带底或价带顶的能量差很小,远远?...

     

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