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孙慧龄, 冶宏振. 离子注入半导体的辐照损伤[J]. 物理, 1985, 14(8).
引用本文: 孙慧龄, 冶宏振. 离子注入半导体的辐照损伤[J]. 物理, 1985, 14(8).

离子注入半导体的辐照损伤

  • 摘要: 光束、电子束、离子束等新型微细加工技术,使半导体集成电路制造工艺的加工尺度提高到了亚微米甚至更高的水平.作为离子束加工的一个分支,把离子注入技术应用到半导体器件的掺杂工艺,是优于常规热扩散掺杂法的一种新工艺.它是用高能杂质离子强行入射到半导体晶片中,所以掺杂过程就伴有晶格损伤的产生.这些损伤直接影响半导体器件的电性能,因此人们对损伤的产生、观测及其消除情况颇为关心.目前,国际上对这一课题的研?...

     

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