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叶良修. 集成电路中的物理问题讲座 第五讲 金属-半导体接触的电流机制[J]. 物理, 1985, 14(8).
引用本文: 叶良修. 集成电路中的物理问题讲座 第五讲 金属-半导体接触的电流机制[J]. 物理, 1985, 14(8).

集成电路中的物理问题讲座 第五讲 金属-半导体接触的电流机制

  • 摘要: 在金属-半导体界面附近一般存在势垒,称为肖特基势垒.基于这一结构的二极管称为肖特基势垒二极管或肖特基二极管.由于肖特基二极管较p-n结有更低的正向压降,所以在双极型集成电路中用它作限饱和二极管,以显著提高电路的速度.金属半导体接触也是金属-半导体场效应晶体管(MES-FET)及有关集成电路的基础。金属-半导体欧姆接触则广泛用于形成低阻接触.关于金属-半导体接触界面势垒的形成问题,在本刊11卷?...

     

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