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陆德仁. 集成电路中的物理问题讲座 第六讲 硅-二氧化硅系统中的电荷和界面陷阱[J]. 物理, 1985, 14(9).
引用本文: 陆德仁. 集成电路中的物理问题讲座 第六讲 硅-二氧化硅系统中的电荷和界面陷阱[J]. 物理, 1985, 14(9).

集成电路中的物理问题讲座 第六讲 硅-二氧化硅系统中的电荷和界面陷阱

  • 摘要: 包括大规模集成电路在内的现代半导体器件,绝大部分是用硅平面工艺制造的.在抛光的硅片上进行热氧化、光刻窗口、热扩散、蒸金属膜等操作之后,器件的芯片就制成了.平面工艺少不了硅表面的一层SiO2膜,该膜不仅在器件制造过程中作为杂质选择扩散的掩膜,在器件制成后也作为金属布线的支撑物和绝缘物,因此这些器件都包含Si-SiO3系统.在MOS器件中,还有较薄的优质SiO2作栅极的介质,它是决定该类器件功能的....

     

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