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郭宝增. 应变层结构和新半导体器件[J]. 物理, 1991, 20(3).
引用本文: 郭宝增. 应变层结构和新半导体器件[J]. 物理, 1991, 20(3).

应变层结构和新半导体器件

  • 摘要: 本文介绍了应变层结构的原理及其在半导体器件中的应用.由于轴应变使应变层结构的价带空穴表现出多样的特性,本文详细讨论了应变层量子阱的电子结构,着重指出了价带工程的可能应用.并介绍了高空穴迁移率晶体管、低阈值激光管等新器件的研制情况,以及几种典型的应变层结构材料.

     

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