高级检索
盛篪, 王迅. 硅中掺铒发光的研究现状和前景[J]. 物理, 1995, 24(7).
引用本文: 盛篪, 王迅. 硅中掺铒发光的研究现状和前景[J]. 物理, 1995, 24(7).

硅中掺铒发光的研究现状和前景

  • 摘要: 硅在微电子学领域有着极其广泛的应用,但它是一种间接能隙半导体,发光器件领域是它的缺项,利用在硅中掺入发光中心─—铒,已经研制出一种新的发光二极管(Si:ErLED),它的发光波长是1.53μm,恰好满足石英光纤通信的要求。进一步提高输出功率后,Si:ErLRD将可用作光纤通信用的单片光电子集成电路的光源部件。介绍了Si:Er发光研究的现状,讨论它的发光机制及制约输出动率的因素,探讨提高LED性能的途径。

     

/

返回文章
返回