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陈光华, 朱秀红, 邓金祥, 刘钧锴, 陈 浩. 高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的研究进展[J]. 物理, 2004, 33(11).
引用本文: 陈光华, 朱秀红, 邓金祥, 刘钧锴, 陈 浩. 高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的研究进展[J]. 物理, 2004, 33(11).
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高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的研究进展

    摘要
  • 摘要: 文章着重介绍了最近研制出的高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的三种制备方法和结构特性：（1）用射频溅射法在Si衬底上制备出立方相含量在90%以上，Eg＞6.0eV的c-BN薄膜；(2)用离子束辅助的化学气相沉积法（CVD），在金刚石上外延生长出立方含量达100%的单晶c-BN薄膜；(3)用微波电子回旋共振CVD法（MW-ECR-CVD）在金刚石上外延生长出高纯c-BN薄膜.这些高纯c-BN薄膜，可应用于制作各种半导体（主要是高温、高频大功率）电子器件.

     

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