物理
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物理  2018, Vol. 47 Issue (3): 153-161    DOI: 10.7693/wl20180303
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相变存储器失效机理的研究进展
高丹1,2,刘波1,3,†
(1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050) 
(2 中国科学院大学 北京 100049) 
(3 苏州科技大学 化学生物与材料工程学院 苏州 215009)
The failure mechanism of phase change memories
GAO Dan1,2,LIU Bo1,3,†
(1 State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China) 
(2 University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China) 
(3 School of Chemical Biology and Materials Engineering,Suzhou University of Science and Technology,Suzhou 215009,China)

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