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陈朝宇. 磁性起源的表面态能隙与“半磁拓扑绝缘体”[J]. 物理, 2021, 50(4): 267-267.
引用本文: 陈朝宇. 磁性起源的表面态能隙与“半磁拓扑绝缘体”[J]. 物理, 2021, 50(4): 267-267.

磁性起源的表面态能隙与“半磁拓扑绝缘体”

  • 摘要: 近年来,具有本征长程磁序的拓扑绝缘体Mn-Bi-Te家族成为了研究拓扑物态和量子调控的理想载体,有望在同一材料体系中实现量子反常霍尔效应、轴子绝缘态和高阶拓扑绝缘态等多种新奇拓扑物态。其中,根据拓扑量子场论的预言,轴子绝缘态可以用来观测隐藏在拓扑材料体相之内的拓扑磁电效应,甚至有望为解答宇宙中暗物质缺失的疑难提供线索。

     

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