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  物理--1985, 14 (4)   发布日期: 1985-04-20
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知识和进展

宏观量子现象──超流动性

管惟炎
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (327 KB)   ( 下载: 8806 )
摘要
1868年8月18日,Lockyer和Janssen分别在印度和马来亚观察日全蚀,从太阳的发射光谱中发现了浅黄色的5876A线.他们猜测这是地球上尚未发现的一个新元素的谱线,并称它为Helium(氦).1895年,Ramsay在地球上也找到了氦,主要在铀矿中.大气中氦的体积仅占10-6-10-5,是稀有气体.1908年,荷兰Leiden实验室的昂内斯液化了最后一个“永久气体”──He气.最常?...

耗散系统的混沌现象

汪小京
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (901 KB)   ( 下载: 8667 )
摘要
R.费因曼曾经说过:物理学家若在本世纪内能够知道怎样描写抽烟的情形,将是一个很了不起的成就.亲爱的读者,您注意过有经验的“烟鬼”是怎样吐烟圈的吗?,您可曾想到用物理去解释,用数学来描述它的上升和变形?这个似乎“无聊“的问题涉及的实际上是一类被称作“湍流刀的物理现象.这类现象在自然界中广泛存在着.您看(图1),卫星给地球大气层拍下的照片就是湍流的样子;飞机和轮船在流体(空气或水)中运动会造成很?...

直拉硅单晶中的氧沉淀

钱家骏, 崔树范
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (474 KB)   ( 下载: 8809 )
摘要
目前世界上硅单晶材料中,90%是用直拉(CZ)方法生长的.在这种方法中,固相的石英坩埚与熔融的硅经历下列反应:Si+SiO2→2SiO(I)虽然在一般晶体生长温度(~1420℃)下,SiO是挥发的,但是仍然会有相当多的氧保留在熔硅里,并通过固液界面进入晶体.通常的CZ硅中含有~1018/cm3的氧(较FZ硅高1-2数量级).作为硅中的杂质,如果说碳的作用是在晶体生长阶段有助于微缺陷的形成,那?...

内转换电子穆斯堡尔谱学

王广厚
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (300 KB)   ( 下载: 8485 )
摘要
穆斯堡尔谱学作为一个重要的微探针方法和技术已经广泛地应用于物理、化学、生物、地质以及考古、美术等各个领域[1],特别是在材料科学的研究中,正在起着重要的作用[2].到目前为止,大多数工作是在透射条件下进行的,这是因为实验安排较为方便且计数率高.近年来,人们对背散射穆斯堡尔谱学的研究愈来愈多,这是因为在许多情况下(例如对材料表面进行非破坏性的分析),透射实验不能给出所需要的信息.这时,背散射实?...

电子偶素物理学

王少阶
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (359 KB)   ( 下载: 8715 )
摘要
电子偶素(positronium),又称正电子素,其符号为Ps,是由电子及其反粒子──正电子组成的准束缚系统.自从Deutsch[1]在1951年发现Ps以来的三十年间,人们已对Ps的特性及其与物质的相互作用进行了广泛的研究.这不仅加深了人们对Ps本身的了解,也导致了它在原子物理学、化学及固体物理学等领域中获得广泛应用.然而,由于Ps是一个二体、纯轻子的电磁束缚体系,因而是研究量子电动力学的?...

中子导管

何敏
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (394 KB)   ( 下载: 8536 )
摘要
中子导管是七十年代在反应堆上开始用来传送中子的一种新型装置.它可以从反应堆的麦克斯韦谱中引出较长波长的中子,同时切断短波长的中子、避开快中子和γ射线的影响,起到降低本底的作用.这对于要了解生物大分子、聚合物长链的结构而计数率不高的中子小角散射工作是非常有利的.而且由于导管能够长距离、几乎没有损失地传送中子,因此对提高反应堆的利用率及反应堆周围的物理工作和设备的布局也都起了非常重要的作用.目前?...
物理学和经济建设

集成电路对硅材料的要求

万群
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (312 KB)   ( 下载: 8552 )
摘要
半导体硅材料(以下简称“硅或“硅材料”)与集成电路的关系十分密切.硅材料的诞生比集成电路要早,但集成电路的出现使硅在半导休材料中占压倒优势.根据1982年的统计,在半导体器件市场中,硅占98%[1].而集成电路约占整个半导体器件的80%左右.集成电路推动着硅材料工业的发展,使硅材料产量大增,生产技术日益提高,设备日益大型化和自动化.另一方面,硅材料质量的提高和成本的下降又为集成电路的集成度和?...

瓦级染料激光治癌系统

宋向宁, 梅其初, 金能文, 刘焕然, 王顺桥
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (191 KB)   ( 下载: 8581 )
摘要
目前,连续波染料激光的一个重要应用是激光-血卟啉衍生物光敏治疗恶性肿瘤患者[1]光敏疗法是通过给患者注射无毒性的光敏药物血卟啉衍生物(以下简称HPD),利用癌细胞对其有一种特别滞留的特性,当使用630um波长附近的激光照射癌部位时,HPD在光照作用下发生一系列光化学反应.反应过程中产生对癌细胞具有很强杀伤力的单态氧,从而杀死癌细胞,达到治疗癌症的目的1).光敏治疗方法的突出特点是仅对癌组织有?...
实验技术

扫描隧道显微镜

戴道宣
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (396 KB)   ( 下载: 8641 )
摘要
近几年来,利用在真空中金属表面隧道效应的原理来设计的扫描隧道显微镜(ScanningTunnelingMicroscopy,缩写为STM),它真实、直观,且具有0.1nm量级的超高分辨率.由于它的分辨率低于元素晶体的晶格常数(一般<1nm),因此它是研究固体表面原子结构的理想实验手段之一.1983年用它首次在实时空间内观察到Si(111)表面7×7的大元胞[1],在科学界引起强烈的反响.ST?...

光学多道分析仪及其应用

林美荣
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (352 KB)   ( 下载: 8722 )
摘要
光学多道分析仪是七十年代发展起来的一种光谱同时探测仪器.光谱信息的获取通常有两种方式:一是对感兴趣的波段进行依次扫描,二是对该波段进行同时探测.前者是以出缝-光电倍增管组合的方法为代表,后者则是以光谱干板的应用最为广泛.但是,这种同时探测器的灵敏度低,转换特性一般不呈线性(即乳剂特性γ≠1),其准确度和精密度也很差,波长定标比较麻烦.而且,所收集到的光谱信息只有在感光板显影后才能证实其有效性?...

长寿命电晕预电离XeCl准分子激光器

刘达伟
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (138 KB)   ( 下载: 8499 )
摘要
快放电泵浦的准分子激光器以其简单、易于实现高重复频率运转等优良特性而成为紫外波段中、小型的主要实用器件之一.本文报道了一种有效的电晕预电离设计,增加了激光输出能量并延长了激光器运转寿命.图1是本试验使用的激光器装置图.激光器放电电极长仅10cm,宽0.32cm,激励体积1-2mL.由于准分子激光器原则上可以按比例放大,故使用小尺寸的激光器装置可以更经济地进行拭验.此外,小尺寸激光器比同样类型?...

一种低电感场畸变型短路开关

吴为民, 赖鸿强, 孙建, 李世明
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (254 KB)   ( 下载: 8492 )
摘要
在电容器放电的核聚变装置上,为使负载电感中能产生单极性的脉冲电流,常在负载电感旁并接一个短路开关[1,2].对这种短路开关的要求见文献[3].1.开关结构我们研制的短路开关的结构如图1所示.该开关的主要特点如下:(1)导电部分结构非常紧凑,从而使开关的电感很低,可达20nH左右.(2)采用场畸变型间隙作开关间隙,动作性能较好.这种开关既可作短路开关(当上下间隙距离的比值近似等于1时),也可作?...

在定向仪上用衍射线对法精密测定晶胞参数

刘来保
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (117 KB)   ( 下载: 8469 )
摘要
一、原理在粉末照相或衍射法测定晶胞参数时,为了避免仪器的零点漂移,常采用线对法[1,2].将线对法应用于定向仪测定晶胞参数,不仅能避免零点漂移,而且能克服因实测面与结晶面间的偏离而造成的θhk1角不真问题.因定向仪上的样品实测面与某结晶面往往是很难重合一致的,因此实测的θhk1不能计算d值.而应用线对法就不存在这问题,因而线对法应用于定向仪测定晶胞参数更具实际意义.文献[1,3]虽已推出粉末?...
讲座

集成电路中的物理问题讲座 第一讲 硅中微缺陷及其形成过程

崔树范, 钱家骏
1985, 14(4): 0-0     全文: PDF (601 KB)   ( 下载: 8759 )
摘要
随着半导体硅器件技术的不断进步,对晶体材料的完整性的要求越来越高.五十年代末观察到位错会引起p-n结的软击穿,因此发展了无位错硅单晶的生长技术.所谓宏观无位错晶体,通常是指用择尤化学腐蚀看不到位错蚀坑,或在X射线形貌照片上看不到位错衬度,并不是指没有缺陷的完美晶体.正如Sirtl所说,从半导体级硅技术开始发展时起,晶体缺陷问题就是有关专家的永久伴侣.当晶体中无位错时,由于很难消除晶体生长时产?...
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