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  物理--1985, 14 (6)   发布日期: 1985-06-20
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知识和进展

金属缺陷与力学性质理论研究的进展

龙期威
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (387 KB)   ( 下载: 8614 )
摘要
金属缺陷和金属力学行为研究的主要对象是结构材料.结构材料在生产和技术发展中的需要量大,而且面广.所以,缺陷和力学行为研究有广泛的社会需要.随着生产技术水平的提高,对结构材料提出了新的要求,同时也需要从更高水平来认识.然而,近二十年来,物理学科中的这个分支领域的发展却远赶不上生产技术发展的实际需要.从生产技术发展的需要上看,有两类性质不同的研究问题:一类是高强度高韧性特轻的高性能结构材料的物理?...

循环磁致冷

戴闻
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (344 KB)   ( 下载: 8507 )
摘要
物理学的发展对低温条件提出了各种各样的要求,除了更低的温度以外,有时还要求大的致冷功率,或者对致冷空间的磁场以及介质物性作出特定的限制.本文所要论及的磁致冷方法,自1926年吉奥克和德拜各自独立提出以来,已经发展成为一项获得1K以下温度的标准技术.然而由于某些技术上的困难,长期以来绝热退磁只是“一次性”的致冷手段,因而限制了它的应用范围.虽然在五十年代希尔等制成了一合利用超导热开关在1K以下?...

调制掺杂高迁移率晶体管

虞丽生
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (374 KB)   ( 下载: 8552 )
摘要
为了提高场效应晶体管的响应速度,在设计中希望采用迁移率高的材料.材料迁移率的大小决定于载流子的散射.一般在高温下,载流子主要被晶格振动所散射,即声子散射;而在低温下电离杂质的散射起主导作用.对于高掺杂的样品,即使降低温度也不能使迁移率提高.掺杂浓度为1017-1018cm-3的n型GaAs中的电子迁移率大约是3000—4000cm2/V·s左右.而P型GaAs中的空穴迁移率将更低.掺杂浓度降?...

轻子动力:是幻想,还是未来的事实?

R.P.Olenick
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (411 KB)   ( 下载: 8626 )
摘要
一、引言人们早就知道,利用氢同位素在高温下的热核反应可获得极大的能量.1957年,阿尔瓦雷斯等人(1957年)发现了另一种产生聚变的方法[1],这就是用μ子在液氢中引起的冷聚变或催化聚变的现象.其实,这种现象早由夫兰克(1947年)[2]和Zel’dovich(1954年)[3]在理论上作过预言.但是继最初的一些实验之后不久,就发现μ子催化聚合反应在技术上无法作为实际能源投入使用(杰克逊19?...
物理学和经济建设

离子注入强化金属表面的作用机制

赵育敏, 王震西, 赵中仁
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (603 KB)   ( 下载: 8681 )
摘要
离子注入技术是将高能束流的离子(一般为几十一几百keV)注入到固体材料的表面,从而改变材料表层的物理、化学和机械性能的一种新方法.早期,离子注入技术用于半导体器件的掺杂,大大促进了微电子学的发展.近年来,离子注入技术迅速地扩大应用到固体物理和材料科学的许多领域,如非晶态、超导、磁泡材料、集成光学材料等,成为一种重要的研究手段,并获得日益广泛的应用.离子注入技术作为金属表面处理的一种新方法,可?...

激光测量血流

刘键
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (247 KB)   ( 下载: 8536 )
摘要
已有的血流观测方法如电磁法、超声法、示踪物清除法、显微电视法等,各有其难以克服的缺点.相比之下,激光测血流技术,由于具有非侵入、快速响应、空间分辨率高、精确、安全等优点,受到广大医学工作者的欢迎.自1972年Riva首先把激光用于血液动力学的研究之后[1],世界上先后出现了各式各样的激光测量血流的装置,测量对象从藻类原生质流到人类的血流,测量部位由体表到各内脏器官,范围非常广泛.我国在198?...
实验技术

几种集成电路硅片工艺检测技术简介

包宗明
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (317 KB)   ( 下载: 8599 )
摘要
集成电路是多工序(每道工序的加工成本相当高)的产品.在生产过程中对硅片加工质量进行检测,及早剔除不合格的硅片有利于降低加工成本;而对检测所得结果进行统计分析,追查原因,研究对策则有利于提高企业的质量管理水平和工艺水平.随着集成电路向大规模、超大规模方向发展,大块半导体平均参数的粗略测试已不能满足需要,对硅片的无损、微区、快速、自动测试技术正在迅速发展.表1列出了现今集成电路工艺检测的主要项目?...

用球坑技术制备表面分析样品和电镜样品

仲永安
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (269 KB)   ( 下载: 8513 )
摘要
用俄歇(Auger)电子能谱技术作样品深度成分分析,是一种有效的方法.近几年来,采用球坑技术制备样品深度剖面,特别是制备深度大于1μm时,取得较好效果[1].球坑技术还可用来制备透射电镜的样品,如硬质材料陶瓷的样品,过去,这种非金属材料样品在预磨至30μm后,还要用离子轰击减薄的方法[2-4].现在,用球坑技术制备陶瓷材料的透射电镜样品取得了成功.球坑技术早期被人们用作半导体器件结的研究[5?...

慢正电子束技术在基础理论研究中的应用

林大航, 饶建锡
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (253 KB)   ( 下载: 8594 )
摘要
正电子湮没技术已广泛地用来研究凝聚态物质的内部微观结构及表面性质.在基础理论研究方面,人们早已利用正电子和电子形成束缚态、正电子与其它粒子的散射等方法来研究物质间的相互作用.近年来,由于在获得慢正电子束的方法上取得重要进展,在基础理论研究方面,已利用慢正电子束做了大量的工作,得到了一些新的结果.首先,用慢正电子束作了大量正电子与各种气体分子的碰撞实验,并把它与电子和气体分子碰撞实验加以比较;?...

微桔型电子能谱仪

袁观俊
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (200 KB)   ( 下载: 8972 )
摘要
内转换是原子核电磁跃迁的形式之一.用电子能谱仪(即β谱仪)对内转换电子进行测量是一种常用的原子核物理实验手段.由于近十多年来原子核科学和技术的发展,电子能谱仪的发展也很迅速.半导体探测器和它的结合更提高了它的性能和扩大了它的应用范围.更有意义的是,目前已开始利用电子能谱仪在加速器的束流上进行在束核物理实验.1972年,J.VanKlinken等人[1]首先研究了微桔型(Mini-Orange?...

用喇曼光谱测定液晶的序参数

朱自莹, 何大钧, 刘纯益, 洪熙君
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (85 KB)   ( 下载: 8522 )
摘要
液晶序参数的测定是研究液晶分子排列的重要课题[1,2].本文介绍我们用喇曼光谱测定MBBA(4-甲氧基苄叉-4’-正丁基苯胺)序参数的结果,与文献比较,基本相符.Jen[2]等人对于液晶序参数作了详尽的论述.令向列型液晶分子长轴与液晶光轴成θ角,那么序参数A0(2)和A0(4)的定义为<>是对所有分子的平均值.用喇曼光谱测定序参数,主要是测二组退偏比.如图1,激光束垂直入射于经沿面校列处理过?...

一种回波重合法装置

王积方, 袁茂森, 李华丽, 唐汝明
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (111 KB)   ( 下载: 8485 )
摘要
超声脉冲“回波重合法”是目前广泛采用的声速测量方法.其原理是:通过对造成任一rf脉冲中两回波重合的扫描频率测量,以确定超声波在样品中往返传播所经历的时间.用这种方法测量超声波传播时间,精度比较高.为了保证和提高这种精度,我们对装置的稳定性、同步、回波重合的分辨本领都作了改进.在一般的“回波重合法”装置中[1],rf脉冲和驱动回波重合的信号源,稳定性不太高.当载波频率作较大变动时,载波波形易畸?...

六面体型高压容器内的压力分布

何毅
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (263 KB)   ( 下载: 8513 )
摘要
压力是进行高压下物理实验研究与合成特殊新材料的一个重要条件.实验表明,合成优质金刚石不仅需要建立三维大尺寸的高压容器,而且还需要了解这种容器中的压力分布及等压区的大小,以便选择合理的实验参数或工艺条件.我们设计并制成了一种六面体型分割四斜面紧装式高压容器,它是利用斜面的机械胁迫使单轴加载变成三向加压.我们在这种容器上进行了叶蜡石在5.6GPa压力下等压区分布状况的有关实验.掌握高压腔中介质的?...
讲座

集成电路中的物理问题讲座 第三讲 金属硅化物的形成

武蕴忠
1985, 14(6): 0-0     全文: PDF (363 KB)   ( 下载: 8672 )
摘要
金属硅化物在微电子学的理论研究和实际应用方面有着广阔的前景,近来金属硅化物形成研究再次成为一个非常活跃的领域.理论方面,硅化物的能带结构和硅化物-硅界面研究有着重要意义.高性能和高可靠性电路制造对金属化方案的选择至关重要.金属硅化物具有低的电阻率和高的稳定性,它们在集成电路上的应用引起人们极大的关注.图1是半导体电路金属化系统两种典型结构.其中图1(a)是具有重掺源、漏区和轻渗沟道的FET结?...
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