摘要: 我们在4．2—300K的温区对Ge．Sｉ．GaAs的ｐ－ｎ结正向压降与温度的关系进行了实验研究，发现了两个有普遍性的规律：(１）随着温度的降低，所有的Ge，Sｉ，GaAs二极管的正向压降与温度关系曲线都存在一个突变点，低于突变温度之后，二极管正向压降随着温度的降低急剧增高，呈单晶热敏电阻特性．(2）高于突变温度后，二极管正向压降V随着温度丁的增高而缓慢减小，dV／dT随温度的增高而增大，ｄ２Ｖ／ｄＴ２随温度的增高单调减?...