摘要: 一、引言为了解决半导体硅器件特别是ＭＯＳ器件的稳定性问题，从六十年代中期开始，对ＭＯＳ系统中由于可动离子沾污而引起的不稳定性问题，进行了大量的工作．研究结果表明，Ｎａ＋，Ｋ＋，Ｌｉ＋及Ｆ－等在二氧化硅层中都是可以移动的１，２］．在实际半导体硅器件中沾污最严重，对器件特性影响最大的是Ｎａ＋．为了进一步控制钠离子沾污对器件特性的影响，人们用不同的电学测量方法３］从各种不同角度对钠离子在氧化层中?...