摘要: 近年来，我们用硫系非晶态半导体Ｇｅ１５Ｔｅ８１Ｓ２Ｓｂ２材料研制的８×８位主读存储器，已在本所自动控制中试用，效果良好．为探讨电性机理，测量了该材料的交、直流电导特性．一、样品制备先将光谱纯的Ｇｅ，Ｔｅ，Ｓ，Ｓｂ各元素按组份配制成靶，在真空下再将靶料溅射于已制好铝电极的基片上，光刻成直径为２０μｍ、厚１．５μｍ的薄膜，其上再溅射并光刻上钼电极．二、实验结果及分析Ｇｅ１５Ｔｅ８１Ｓ２Ｓｂ２薄膜?...