摘要: 用直流吸气溅射法获得了Ｔｃ１）起始等于２３Ｋ的Ｎｂ－Ｇｅ膜．对样品进行了分析，初步总结了高Ｔｃ－Ａ１５Ｎｂ３Ｇｅ的成相规律，对与Ｔｃ密切相关的因素进行了讨论．引言很多Ａ１５型化合物具有超导电性且其超导转变温度Ｔｃ很高．１９７３年，Ｇａｖａｌｅｒ首次用直流低电压，高Ａｒ气压力溅射法获得Ｔｃ起始温度为２２Ｋ的Ｎｂ－Ｇｅ膜［１］．其后，一些实验室相继报道了用沉积薄膜法得到Ｔｃ起始≥２３Ｋ的结果［２?...