摘要: 近几年来，半导体材料的激光退火引起人们很大兴趣，这是因为较之常规的热退火，激光退火有它独特的优点，即空间上的局域性和时间上的短暂性．离子注入后的半导体都伴有晶格损伤，使用常规的热退火来消除损伤，同时使注入杂质电激活，需要较高温度（～１０００°Ｃ）和较长时间（～３０ｍｉｎ）的热处理，这就使表面层遭到沾污，基底材料由于长时间加热而电学参数变坏，而且有时并不能完全消除损伤．激光退火可以克服这些缺点?...