摘要: 金属硅化物在微电子学的理论研究和实际应用方面有着广阔的前景，近来金属硅化物形成研究再次成为一个非常活跃的领域．理论方面，硅化物的能带结构和硅化物－硅界面研究有着重要意义．高性能和高可靠性电路制造对金属化方案的选择至关重要．金属硅化物具有低的电阻率和高的稳定性，它们在集成电路上的应用引起人们极大的关注．图１是半导体电路金属化系统两种典型结构．其中图１（ａ）是具有重掺源、漏区和轻渗沟道的ＦＥＴ结?...