摘要: 一、半导体界面上的二维电子系统五十年代末和六十年代初，硅半导体器件的制造工艺有了很大的突破，制成了金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ），其结构见图１．它用ｐ型硅做衬底，表面上生长一层ＳｉＯ２，其上有铝栅极Ｇ．两个重掺杂的ｎ＋区分别是源极Ｓ及漏极Ｄ．如果栅极加上较大的正电压Ｖｇ，硅表面附近会积累大量电子，形成与体内导电类型相反的反型层，成为源极及漏极间的导电沟道．反型层中的电子面密?...