摘要: 基于半导体光电导的基本物理现象，利用激光束在集成电路器件表面的扫掠，可测出诱导的光电流变化．通过微机信息处理系统可研究器件表面沟道或反型层、Ｐ－Ｎ结的局部击穿，ＣＭＯＳ（互补金属氧化物半导体器件）随机存贮器的锁位现象，还可进行运算放大器可靠性和超大规模集成电路逻辑状态的分析等．