摘要: 随着目前超大规模集成电路的迅速发展，要求器件尺寸按比例缩小，线宽也要求相应变窄。而多晶硅的薄层电阻极限为３０－６０／口，因此器件尺寸的进一步减小就被栅极内引线的内线电阻所限制。为此，必须寻找新的合适的替代物以改进电路的速度。对于ＭＯＳ器件来说，其特性取决于一系列参数，其中以ＲＣ时间常数最为重要?...