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魏同立, 郑茳, 吴金. 红外焦平面技术的重要进展──单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技术[J]. 物理, 1994, 23(3).
引用本文: 魏同立, 郑茳, 吴金. 红外焦平面技术的重要进展──单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技术[J]. 物理, 1994, 23(3).
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红外焦平面技术的重要进展──单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技术

    摘要
  • 摘要: 由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。

     

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