摘要: 用一种新的方法制备出了具有不衰减的光致发光特性的多孔硅．如此制备的多孔硅新鲜样品，其发光峰位强度比普通多孔硅高２—２５倍．将样品在室温下暴露于空气中，其发光强度在前４个月中单调增加，然后达到饱和．在随后的８个月中，没有观察到发光衰减，发光峰位也没有发生变化．这种发光稳定性被归因于多孔硅表面所形成的稳定的Ｆｅ－Ｓｉ键．文章探讨了发光不衰减、峰位不蓝移的机理，并为多孔硅发光的量子限域模型提供了强有力的证据．