摘要: 铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能：高的介电常数，较低的介电损耗，好的绝缘漏电性能；而且，通过调节材料中的Ba/Sr成分比，可改变材料的居里相变温度TC，以满足特定应用环境的温度需要，在超高密度集成的动态随机存储器(DRAM)方面表现出广阔的应用前景.文章概括介绍了BaxSr1-xTiO3薄膜材料在DRAM应用中已取得的最新研究进展，并对这一应用所面临的问题也进行了详细讨论.